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  • 微处理器(单片机)

    SAMSUNG--ARM微处理器

    ARM即Advanced RISC Machines的缩写。ARM处理器有以下特点:1、小体积、低功耗、低成本、高性能;2、16位/32位双指令集。 ARM处理器当前有5个产品系列:ARM7、ARM9、ARM9E、ARM10和SecurCore.前四个系列是通用处理器系列,每个系列提供一套特定的性能来满足设计者对功耗、性能和体积的需求。SecurCore系列是专门为安全设备而设计的。性能达到1200MIPS(Xscale微体系结构),功耗测量为µW/MHz,并且所有体系结构兼容。 ARM7系列为低功耗32位核,最适用于对价位和功耗敏感的消费应用。ATM7系列具有:①嵌入式ICE-RT逻辑②非常低的功耗③能提供0.9MIPS/MHZ的三级流水线和冯·诺曼结构。 ARM7的主要应用领域为:因特网设备、网络和调制解调器设备以及移动电话等多种多媒体和嵌入式应用。 ARM9系列是高性能

    ARM--AT91 系列微处理器

    ARM即Advanced RISC Machines的缩写。ARM处理器有以下特点:1、小体积、低功耗、低成本、高性能;2、16位/32位双指令集。 ARM处理器当前有5个产品系列:ARM7、ARM9、ARM9E、ARM10和SecurCore.前四个系列是通用处理器系列,每个系列提供一套特定的性能来满足设计者对功耗、性能和体积的需求。SecurCore系列是专门为安全设备而设计的。性能达到1200MIPS(Xscale微体系结构),功耗测量为µW/MHz,并且所有体系结构兼容。 ARM7系列为低功耗32位核,最适用于对价位和功耗敏感的消费应用。ATM7系列具有:①嵌入式ICE-RT逻辑②非常低的功耗③能提供0.9MIPS/MHZ的三级流水线和冯·诺曼结构。 ARM7的主要应用领域为:因特网设备、网络和调制解调器设备以及移动电话等多种多媒体和嵌入式应用。 ARM9系列是高性能

    TI--TMS470系列ARM微处理器

    TI公司推出基于32位ARM7TDMI通用处理器TMS470,它能提供高达1MB的嵌入闪存,工作频率高达60MHz,可应用在包括工业,医疗仪表,消耗类电子产品和数据处理.和TI的各种增强片内外设一起,完整的TMS470平台包括有64KB到1MB的闪存。TMS470 MCU 提供了业界容量最大的存储器和智能外设的理想组合 , 为设计者提供了更高水平的性能和灵活性 . 该器件能在单周期以高达 60MHz 的流水线模式访问嵌入存储器 , 允许快速执行代码 . 第一个可编 32 通路高端计时器 (HET) 提供更好的精确度 , 广泛应用在各种时间功能如周期和脉冲测量 , 输出比较以及脉冲宽度调制 (PWM). 和 HET 一起 ,TMS470 MCU 包括一流的转换时间为 1.55us 有多个缓冲 10 位 ADC, 以及各种能卸载 CPU 的工业标准外设 , 从而能提供更高水平的系统性能 , 包

  • TI-MSP430系列

    MSP430学习板

    该系列学习实验板采用MSP430F169 CPU芯片。是特别针对169中的新功能而开发的。除了430的一般通用功能外,还可实现双12位D/A转换,DMA通道,IIC的硬件通讯。

    MSP430学习板

    430F22X学习套件以MSP430F22X4为核心芯片,其片内外设模块丰富,如16位定时器,FLASH模块,通讯模块(支持UART,SPI,I2C等通讯协议),10位AD,OA模块(两个运放大器)等。此外,学习板上已经集成了仿真调试电路,用户无需另购仿真器,只要一根并口线连接主机和学习板,就可以轻松地进行仿真调试

    MSP430学习板

    本学习板是基于 MSP430F4270单片机(请参考:MSP430x42x0中文数据手册.pdf)典型应用进行设计的。本学习板的程序中,着重介绍了其16位带内部参考的Σ—Δ模数转换器以及带对比度控制的LCD驱动器等,同时结合MSP430系列单片机自身的超低功耗 以及超低端口漏电流的特点, 作了相应的实验安排。通过这些实验,可以进一步了解MSP430F42X0 单片机,根据其功能和特点,将此款单片机应用到自己的产品中。

  • Silabs-C8051F系列

    C8051F仿真调试器USB

    调试适配器U-EC5,为标准型USB接口,免安装驱动程序,即插即用。自带IDE调试环境,同时也支持KEIL C调试环境。EC5可更换不同的目标板,可调试不同的C8051F器件,可实现单步,硬件断点,连续单步,可控制程序停止与运行,支持贮存器和寄存器的修改与查看,下载程序到贮存器等功能。并具有下载器U-PDC的功能:可完成识别C8051F MCU器件型号(ID),可对C8051F进行编程、擦除、检验、加密等各项操作,可控制程序运行与停止。

    C8051F仿真调试器

    调试适配器U-EC2,非标准型USB接口(USB转串口方式),需安装USB驱动程序。自带IDE调试环境,同时也支持KEIL C调试环境。EC2可调试不同的C8051F器件,可实现单步,硬件断点,连续单步,可控制程序停止与运行,支持贮存器和寄存器的修改与查看,下载程序到贮存器等功能。

    C8051F 开发评估板

    针对C8051F005单片机(SOC)设计的BT F005开发评估板,集成了C8051F005单片机的基本外围电路和典型应用电路,充分的应用了该单片机的片上资源.开发者可通过评估板上具有的各功能扩展接口及附带光盘提供的完整的演示程序,迅速的掌握C8051F005单片机的软硬件设计,达到缩短产品开发周期的目的.1、功能简介:(可完成的实验项目)·AD转换·SMBUS、SPI接口·UART通信·USB与UART转换·铁电存储器读写(FM24C04)·DAC波形输出·PCA捕捉·PWM输出·2X2键盘扫描·2X16LCD驱动·CP0比较器·内部温度传感器2、主要芯片及资源:C8051F005:·32k FLASH·2304字节内部数据RAM·4个通用16位定时器/计数器·片内电压比较器 ·内置温度传感器·增强SMBUS、SPI、UART接口 ·16位的可编程计数阵列(PCA)·12位或10位A

  • 常用外围IC器件

    USB/CAN/时钟芯片/网络接口器件

    CAN总线通信接口中集成了CAN协议的物理层和数据链路层功能,可完成对通信数据的成帧处理,包括位填充、数据块编码、循环冗余检验、优先级判别等项工作。 2.2CAN协议的一个最大特点是废除了传统的站地址编码,而代之以对通信数据块进行编码。采用这种方法的优点可使网络内的节点个数在理论上不受限制,数据块的标识码可由11位或29位二进制数组成,因此可以定义211或229个不同的数据块,这种按数据块编码的方式,还可使不同的节点同时接收到相同的数据,这一点在分布式控制系统中非常有用。数据段长度最多为8个字节,可满足通常工业领域中控制命令、工作状态及测试数据的一般要求。同时,8个字节不会占用总线时间过长,从而保证了通信的实时性。CAN协议采用CRC检验并可提供相应的错误处理功能,保证了数据通信的可靠性。CAN卓越的特性、极高的可靠性和独特的设计,特别适合工业过程监控设备的互连,因此,越来越受到工业界的重

    RAM/FLASH外围器件

    FLASH它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,FlashMemory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写,功耗很小。 由于FlashMemory的独特优点,如在一些较新的主板上采用FlashROMBIOS,会使得BIOS升级非常方便。FlashMemory可用作固态大容量存储器。 SRAM是英文StaticRAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能。型 号厂 家参 数封 装IC61LV12816-10TICSI128K x 16, 3.3V, 12nsTSOP44IS61LV256-12JIISSI32K x 8, 3.3

    EPROM/EEPROM外围器件

    EPROM(ErasableProgrammableROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12—24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2MBits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。类 别型 号简 介单价类 别型 号简 介单 价EPROM27C162K(8位)6.00EEPROMAT28C648K(并行)

  • 开关/接插件/继电器

    上开-微动开关KW11

    微动开关是一种施压促动的快速开关,又叫灵敏开关。其工作原理是外机械力通过传动元件(按销、按钮、杠杆、滚轮等)将力作用于动作簧片上,并将能量积聚到临界点后,产生瞬时动作,使动作簧片末端的动触点与定触点快速接通或断开。当传动元件上的作用力移去后,动作簧片产生反向动作力,当传动元件反向行程达到簧片的动作临界点后,瞬时完成反向动作。微动开关的触点间距小、动作行程短、按动力小、通断迅速。其动触点的动作速度与传动元件动作速度无关。 微动开关以按销式为基本型,可派生按钮短行程式、按钮大行程式、按钮特大行程式、滚轮按钮式、簧片滚轮式、杠杆滚轮式、短动臂式、长动臂式等等。 微动开关在电子设备及其他设备中用于需频繁换接电路的自动控制及安全保护等装置中。技术性能: 电气额定值(阻性负载):KW10、11:3A250V/AC;KW15:15A250V/AC 接触电阻(初始值):≤ 50mΩ 绝缘电阻(常态):

    上开-按钮开关Ф10

    按钮开关是由按钮、传动机构和动、定触点组成。它是通过按钮推动传动机构,使动触点与定触点接通或断开来完成电路换接的。它的工作方式大致有以下三种:1)按下工作,松开复位;2)按下自锁工作,再按脱锁复位的;3)按下一次,换接一次的等。 按钮开关的触点系统有圆环式、杠杆式、滑动式等,而动作机构有片簧式、单珠、双珠压簧式等。 按钮开关一般有单刀、双刀、接通、按断、通断等,还有快速动作和无声动作的。按钮开关也有组合式的。电气额定值(阻性负载):3A 250V/AC 接触电阻(初始值):小于等于50毫欧 绝缘电阻(常态):大于等于1000兆欧 耐压(常态):1500V 机械寿命:无锁-1000000次 自锁-100000次 电气寿命:无锁-50000次 自锁-25000次AD10-111YAD10-11AD10-113R

    上开-按钮开关Ф12

    按钮开关是由按钮、传动机构和动、定触点组成。它是通过按钮推动传动机构,使动触点与定触点接通或断开来完成电路换接的。它的工作方式大致有以下三种:1)按下工作,松开复位;2)按下自锁工作,再按脱锁复位的;3)按下一次,换接一次的等。 按钮开关的触点系统有圆环式、杠杆式、滑动式等,而动作机构有片簧式、单珠、双珠压簧式等。 按钮开关一般有单刀、双刀、接通、按断、通断等,还有快速动作和无声动作的。按钮开关也有组合式的。电气额定值(阻性负载):3A 250V/AC 接触电阻(初始值):小于等于50毫欧 绝缘电阻(常态):大于等于1000兆欧 耐压(常态):1500V 机械寿命:无锁-1000000次 自锁-100000次 电气寿命:无锁-50000次 自锁-25000次A12-113SA12-211AA12-212G

  • 阻容/二三极管

    稳压二极管

    一种用于稳定电压的单PN结二极管。它的伏安特性、电路符号如图所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿。当反向电压比较高时,在位垒区内将可能产生大量载流子,受强电场作用形成大的反向电流,而电压亦基本不变,为雪崩击穿。因此,反向电压临近击穿电压时,反向电流迅速增加,而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压(隧道击穿)或雪崩电压(雪崩击穿)。HTC 1/2W 系 列 型 号 规 格MOT 1W系列型号参数型号参数型号参数型号参数1N4728A3.3V1N4738A8.2V1N4748A22V1N4758A56V1N4729A3.6V1N4739A9.1V1N4749A24V1N4759A62V1N4730A3.9V1N4740A10V1N4750A27V1N4760A68V1N

    整流二极管

    一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用

    肖特基二极管

    SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高

代理/分销品牌
Philip
RAMTron
关于我们

鑫人达电子 创立于1996年,坐落在湖北武汉的东湖高新区。公司技术力量雄厚、提供的产品质量稳定可靠 价格低廉; 经营的项目有:集成电路、电子元器件、PCB业务、SMT表贴焊接、自控产品的开发等; 是一个领先的技术型电子元器件分销商。 公司凭借自身专业而雄厚的技术力量, 为客户提供:方案选型→样片提供→开发工具→PCB印制→元器件采集→SMT焊接→组装调试的一站式电子产品采购焊接加工服务。目前,公司主营的项目分以下三大类: 一、销售类: 各种集成电路、元器件、开关端子接插件、仿真器编程器、开发板、微打等; 二、代加工类: SMT表贴焊接、PCB电路板印制、组装调试; 三、开发: 单片机项目开发、芯片解密、PCB快速抄板/改板、样机制作; 我们本着为客户解决一切技术难题,为客户赢得市场和利润为目标的经营理念,使我们赢得了广大客户的信赖和支持,树立良好的市场形象及信誉。

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鑫人达(2017年)春节假期安排

2017年春节,公司假期安排如下: 共放假12天:腊月廿七(1月24日)-正月初八(2月4日); 上班日期:正月初九(2017年2月5日)上午9:00点。  在此,预祝大家春节快乐、事随心愿! 武汉鑫人达电子有限公司

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喜贺我司乔迁新址

热烈祝贺 ”鑫人达电子“ 乔迁新址! 经过一周紧张有序的搬迁、整理和设备调试,一个全新的“鑫人达电子”公司 终于展现在大家眼前,这是我们鑫人达电子公司历史进程中的一件头等大事,值得庆贺! 在此,向一直以来关心、支持和帮助鑫人达电子公司发展壮大的新老客户及各界同仁表示诚挚的感谢! 在这宽敞明亮的全新的工作环境里,伴随着增添的数条生产线,配合着春天的全新气象,鑫人达电子将会一年一个样的快速发展。 鑫人达电子公司从小到大经历了12年的风风雨雨,十二年中我们既经历了坎坷、挫折和逆境,更获得了关心、支持和爱护。12年的发展历程见证了这样的道理: 企业的发展壮大需要强有力的外援,依赖

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预祝公司于2015年年底迁往新厂房

预祝公司年底迁往新厂房快讯:我司于2014年初,购置了位于高新四路光谷电子工业园内的2#厂房,厂房共4层3500平米,因此,可以大大提高公司以后的市场竞争力、提高产能、改善环境。 我们热切期待2015年底,在响彻云霄、冲天的彩炮下迁入新厂房,迈向一个新的里程碑! 预祝:我们与公司的发展蒸蒸日上!